KnigaRead.com/

Рудольф Сворень - Шаг за шагом. Транзисторы

На нашем сайте KnigaRead.com Вы можете абсолютно бесплатно читать книгу онлайн Рудольф Сворень, "Шаг за шагом. Транзисторы" бесплатно, без регистрации.
Назад 1 ... 73 74 75 76 77 Вперед
Перейти на страницу:

Много интересных приборов входит и в семейство транзисторов. Это, в частности, фототриод, который не только превращает вспышку света в электрический импульс, но еще и усиливает его. Это и четырехслойные управляющие приборы, например, со структурой n-р-n-р, предназначенные специально для переключающих схем. Это, наконец, полевые (иногда говорят — канальные) транзисторы, в которых управление коллекторным током осуществляется «без касания» — с помощью электрического поля, как бы сужающего или расширяющего путь тока. Входная цепь такого транзистора почти не потребляет тока, и поэтому он обладает очень высоким входным сопротивлением.



Рис. 127. В современных электронных приборах используется широкий «ассортимент» физических явлений.


Развитие полупроводниковой техники пошло не только по пути создания новых приборов — новых диодов и транзисторов, — но и по пути создания в одном полупроводниковом кристалле целых электронных блоков. Представьте себе схему триггера, мультивибратора или простейшего усилителя НЧ с резистором в нагрузке. Из каких элементов состоят эти схемы? В них входят транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и соединительные провода. А все эти элементы можно изготовить из полупроводникового материала. Чтобы сделать в кристалле конденсатор, нужно создать в нем две полупроводниковые зоны с высокой проводимостью, а между ними — участок полупроводника с низкой проводимостью. Дозируя примеси, можно получить в кристалле и резистор с нужным сопротивлением или соединительную цепь с очень малым сопротивлением. И, конечно же, в полупроводниковом кристалле можно получить диод и транзистор.

А теперь представьте себе, что все эти элементы с помощью какой-то фантастической технологии созданы в одном кристалле, причем в таких количествах, с такими данными и при таком взаимном соединении, что в итоге образовалась нужная нам схема усилителя или генератора. Это значит, что в одном кристалле мы получили целый электронный блок, получили так называемую твердую интегральную схему.

Технология, которую мы назвали фантастической, в действительности существует. И с ее помощью ученые и инженеры уже научились создавать в небольшом кристаллике самые различные твердые схемы.

Как видите, финиш нашего долгого путешествия можно одновременно считать и стартом в новые интересные области — в область более сложных и совершенных транзисторных схем, в область более глубокого их исследования и в область новых направлений полупроводниковой техники и технологии. Однако продвижение вперед по всем этим интересным направлениям— это уже новые задачи, которые в этой книге решаться не будут. Потому что задача этой книги состояла лишь в том, чтобы помочь читателю сделать трудный первый шаг в транзисторную электронику. Первый шаг, но, хочется верить, не последний.



Рисунки

[27, 42-45, 97, 104, 110-113, 118, табл.10]





Рис. 27. Схемы с полупроводниковыми диодами.



Рис. 42. Выпрямители для питания транзисторной аппаратуры (13) и для зарядки автомобильных аккумуляторов (45).



Рис. 43. Двухдиапазонные детекторные приемники.



Рис. 44. Усилитель для громкоговорителя — микрофона (1) и трехкаскадного усилителя высокой частоты для детекторного приемника (2).



Рис. 45. Двухдиапазонный приемник прямого усиления по схеме 2—V—2.





На схеме 9 R10 и R13 по 1,5 ком; R11 — 20 ком.

Рис. 97. Схемы простейших приемников.




Рис. 104. Схемы усилителей низкой частоты.



Рис. 110. Усилитель НЧ с выходной мощностью 2,5–3 вт.



Рис. 111. Простейший электроорган.



Рис. 112. Электромузыкальный инструмент терменвокс.



Рис. 113. Переключатель елочных гирлянд.




Рис. 118. Схемы транзисторных генераторов
















 Примечания:

1. Жирным шрифтом выделены названия транзисторов обратной проводимости (n-p-n).

2. Величина тока, указанная жирным шрифтом, — это максимально допустимый импульсный ток. Средний ток в несколько раз меньше.

3. Величина предельно допустимой мощности, указанная над чертой, соответствует случаю использования транзистора с радиатором, под чертой — без радиатора.

4. Большинство транзисторов, имеющих схему выводов 2 (по рис. 92), могут иметь несколько иное конструктивное оформление (название начинается с букв "МП" вместо "П"; см. стр. 257) и соответственно схему выводов 3.

5. Во многих случаях в таблицах приводятся приближенные параметры, с достаточной, однако, точностью для радиолюбительской практики. 

* * *



Примечания

1

Цветные вклейки (рис. 42, 43, 44, 45) см. между стр. 128–129.

2

Рис. 110–113 см. на цветной вклейке между стр. 288–289.

Назад 1 ... 73 74 75 76 77 Вперед
Перейти на страницу:
Прокомментировать
Подтвердите что вы не робот:*