Дж. Кеоун - OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей

На нашем сайте KnigaRead.com Вы можете абсолютно бесплатно читать книгу онлайн Дж. Кеоун, "OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей" бесплатно, без регистрации.

Назад 1 ... 101 102 103 104 105 ... 107 Вперед

Перейти на страницу:

+ Ikf=80rn Xtb=1.5 Br=4.977 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=2.5 Cjc=9.728p

+ Mjc=.5776 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=8.063p Mje=.3677 Vje=.75 Tr=33.42n

+ Tf = 179.3p Itf = .4 Vtf = 4 Xtf = 6 Rb=10)

National pid=66 case=T092

88-09-09 bam creation

Библиотека параметров моделей диодов

Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для диодов. Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Параметры для большинства компонентов задавались с использованием опции Parts.

Компоненты могут также задаваться без опции Parts следующим образом:

IS Номинальный ток насыщения RS Для стабилитронов: номинальное сопротивление при малом сигнале и номинальном рабочем токе IB Для стабилитронов: устанавливается равным номинальному току насыщения IBV Для стабилитронов: при номинальном рабочем токе IBV равно установленному напряжению зенеровского пробоя

Стабилитроны

Суффикс «А» не изменяет параметров стабилитронов (то есть прибор 1N750A имеет те же параметры, что и 1N750).

.model D1N750 D (Is = 880.5E-1S Rs=.25 Ikf = 0 N=1 Xti = 3 Eg=1.11 Сjo = 175p M=.5516

+ Vj = .75 Fc= .5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989

+ Ibv1 = 1.9556m Nbv1 = 14.976 Tbv1 = -21.277u)

Motorola pid=lN750 case=DO-35

39-9-18 gjg

Vz = [email protected] 20mA, [email protected], [email protected], Zz = [email protected]

Диоды с емкостью, зависящей от напряжения (варикапы)

Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента и задавались с использованием опции Parts.

.model MV2201 (Is=1.365p Rs = 1 Ikf = 0 N=1 Xti = 3 Eg=1.11 jo=14.93p M=.4261

+ Vj = .75 Fc =.5 Isr=16.02p Nr=2 Bv=2 Ibv=10u)

Motorola pid=MV2201 case=182-03

88-09-22 bam creation

Ключевые диоды

.model D1N4148 D(Is = 2.682n N = 1.836 Rs=.5664 Ikf = 44.17m Xti = 3 Eg=1.11

+Tt=11.54n)

Cjo=4p M=.3333 Vj=.5 Fc=.5 Isr=1.565n Nr=2 Bv=100 Ibv = 100u

.model MBD101 D(Is=192.1p Rs=.1 1kf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Сjo = 893.8f

+M=98.29m Vj = .75 Fc=.5 Isr=16.91n Nr=2 Bv=5 Ibv=10u)

Motorola pid=MBD101 case=182-03

88-09-22 bam creation

Мощные диоды

+.MODEL D1N4002 D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI = 3

+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0Е-12

+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)

Библиотека параметров модели полевого транзистора

Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для полевых транзисторов. Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Параметры для большинства компонентов задавались с использованием опции Parts.

.model J2N3819 NJF (Beta=1.304m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=2.25m Vto=-3

+ Vtotc = -2.5m Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti = 3 Alpha=311.7

+ Vk=243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18

+ Af=1)

National pid=50 case=T092

88-08-01 run BVmin=25

.model J2N43 93 NJF(Beta=9.109m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=6m Vto=-1.422

+ Vtotc=-2.5m Is = 205.2f Isr=1.988p N=1 Nr = 2 Xti=3 Alpha=20.98u

+ Vk=123.7 Cgd=4.57p M=.4069 Pb=1 Fc=.5 Cgs=4.06p Kf=123E-18

+ Af = 1)

National pid=51 case=TO18

88-07-13 bam BVmin=40

Библиотека параметров моделей igbt-транзисторов

Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных. Параметры этого компонента задавались с использованием программ Parts и Optimizer:

.MODEL IXGH40N60 NIGBT

+ TAU=287.56E-9

+ KP=50.034

+ AREA=37.500Е-6

+ AGD=18.750Е-6

+ VT=4.1822

+ KF=.36047

+ CGS = 31.942E-9

+ COXD = 53.188E-9

+ VTD=2.6570

Библиотека подсхем операционных усилителей

Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для линейных подсхем ОУ.

Параметры в библиотеке ОУ были получены из справочных данных для каждого компонента. Используемая макромодель подобна ранее описанной [см. Boyle, Graeme, Barry Cohn, Donald Pederson, and James Solomon, 1974, Macromodeling of integrated circuit operational amplifiers, IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-9, no. 6 (December)] Отличия от этой модели вызваны ограничениями, наложенными на выходной каскад. Он был изменен, чтобы уменьшить генерируемые токи для ограничения выходного напряжения и тока короткого замыкания. Параметры модели ОУ соответствуют комнатной температуре, температурные изменения в модели не отражаются. Этот библиотечный файл содержит модели для номинального устройства и не учитывает наихудший случай:

connections: non-inverting input

| inverting input

| | positive power supply

| | | negative power supply

| | | | output

| | | | |

.subckt LM324 1 2 3 4 5

c1 11 12 2.887E-12

c2 6 7 30.00E-12

dc 5 5 3 dx

de 54 5 dx

dip 90 91 dx

din 92 90 dx

dp 4 3 dx

egnd 99 0 poly(2)(3,0)(4,0) 0 .5 .5

fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 21.22E6 -20E6 20E6 20E6 -20E6

ga 6 0 11 12 188.5E-6

gcm 0 6 10 99 59.61E-9

iee 3 10 dc 15.09E-6

hlim 90 0 vlim 1K

q1 11 2 13 qx

q2 12 1 14 qx

r2 6 9 100.0E3

rc1 4 11 5.305E3

rc2 4 12 5.305E3

re1 13 10 1.845E3

re2 14 10 1.845E3

rcc 10 99 13.25E6

ro1 8 5 50

ro2 7 99 25

rp 3 4 9.082E3

vb 9 0 dc 0

vc 3 53 dc 1.500

ve 54 4 dc 0.65

vlim 7 8 dc 0

vlp 91 0 dc 40

vln 0 92 dc 40

.model dx D(Is = 800.0E-18 Rs = 1)

.model qx PNP (Is = 800.0E-18 Bf = 166.7)

.ends

connections: non-inverting input

| inverting input

| | positive power supply

| | | negative power supply

| | | | output

| | | | |

.subckt uA741 1 2 3 4 5

c1 11 12 8.661E-12

c2 6 7 30.00E-12

dc 5 53 dx

de 54 5 dx

dip 90 91 dx

din 92 90 dx dp 4 3 dx

egnd 99 0 poly(2)(3,0)(4,0) 0 .5 .5

fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 10.61E6 -10E6 10E6 10E6 -10E6

ga 6 0 11 12 188.5E-6

gcm 0 6 10 99 5.961E-9

iee 3 10 dc 15.16E-6

hlim 90 0 vlim 1K

q1 11 2 13 qx

q2 12 1 14 qx

r2 6 9 100.0E3

rc1 3 11 5.305E3

rc2 3 12 5.305E3

re1 13 10 1.836E3

re2 14 10 1.836E3

rcc 10 99 13.19E6

ro1 8 5 50

ro2 7 99 100

rp 3 4 18.16E3

vb 9 0 dc 0

vc 3 53 dc 1

ve 54 4 dc 1

vlim 7 8 dc 0

vlp 91 0 dc 40

vln 0 92 dc 40

.model dx D(Is=800.0E-18 Rs=1)

.model qx NPN(Is=800.0E-18 Bf=93.75)

.ends

connections: non-inverting input

| inverting input

| | positive power supply

| | | negative power supply

| | | | output

| | | | |

.subckt LF411 1 2 3 4 5

c1 11 12 4.196E-12

c2 6 7 10.00E-12

css 10 99 1.333E-12

dc 5 5 3 dx

de 5 4 5 dx

dip 90 91 dx

din 92 90 dx dp 4 3 dx

egnd 99 0 poly(2) (3,0) (4, 0) 0 .5 .5

fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 31.83E6 -30E6 30E6 30E6 -30E6

ga 6 0 11 12 251.4E-6

gcm 0 6 10 99 2.514E-9

iss 3 10 dc 170.0E-6

hlim 90 0 vlim 1K

j1 11 2 13 qx

j2 12 1 14 qx

r2 6 9 100.0E3

rd1 3 11 3.978E3

rd2 3 12 3.978E3

ro1 13 10 1.836E3

ro2 14 10 1.836E3

rcc 10 99 13.19E6

ro1 8 5 50

ro2 7 99 25

rp 3 4 15.00E3

rss 10 99 4 1.176E6

vb 9 0 dc 0

vc 3 53 dc 1.500

ve 54 4 dc 1.500

vlim 7 8 dc 0

vlp 91 0 dc 2 5

vln 0 92 dc 25

.model dx D(Is=800.0E-18 Rs=1m)

.model qx NJF(Is=12.50E-12 Beta=743.3E-6 Vto=-1)

.ends

Компараторы напряжения

Параметры в этой библиотеке компараторов были получены из справочных данных на компоненты. Используемая макромодель была разработана MicroSim Corporation и введена в PSpice с использованием опции Parts. Другая макромодель компаратора (не использованная в данной книге) описана в работе (Getreu, Ian, Andreas Hadiwidjaja, and Johan Brinch, 1976, An integrated-circuit comparator macromodel, IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-11, no. 6 (December). В этой работе рассматриваются вопросы моделирования компараторов напряжения.

Параметры рассматриваемой нами модели компаратора соответствуют комнатной температуре, температурные изменения в модели не отражаются. Библиотечный файл содержит модели для номинального устройства и не учитывает наихудший случай.

connections: non-inverting input

| inverting input

| | positive power supply

| | | negative power supply

| | | | open collector output

| | | | | |

.subckt LM111 1 2 3 4 5 6

f1 9 3 v1 1

iee 3 7 dc 100.0E-6

vi1 21 1 dc .45

vi2 22 2 dc .45

q1 9 21 7 qin