Адриан Вонг - Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам
Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.
В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.
SDRAM Burst Len (Продолжительность операции SDRAM)
Обычные опции: 4, 8.
Данная функция является аналогом функции SDRAM Burst Length, только называется по-другому. Ее используют многие производители. Почему? Это знают только они.
Блоковые операции (burst transactions) повышают производительность SDRAM, так как данные читаются и записываются блоками с использованием только одного адреса столбца.
В такой операции только при первой передаче данных для чтения или записи учитывается начальная задержка, необходимая для активации столбца. Последующие операции в последовательности выполняются без задержки. Это позволяет намного быстрее считывать и записывать блоки данных.
Например, блоковая операция из четырех записей может включать задержки: 4-1-1-1. На выполнение четырех записей операции понадобится семь циклов.
Если же четыре записи не объединены в блоковую операцию, задержки будут стандартными: 4-4-4-4. На выполнение четырех записей операции понадобится 16 циклов, то есть на 9 циклов больше (или в два раза медленнее).
Функция BIOS SDRAM Burst Len позволяет вам управлять продолжительностью операции записи.
Если вы выберите значение 4, блоковая операция записи будет ограничена четырьмя QW.
Если вы выберите значение 8, блоковая операция записи будет ограничена восемью QW.
Так как начальное ожидание CAS фиксировано для каждой операции, увеличение время записи позволяет записать или считать больше данных с меньшей задержкой. Поэтому запись длиной 8 выполняется быстрее, чем запись длиной 4.
Например, если контроллер памяти записывает в память блок данных продолжительностью в восемь единиц, эту задачу он может решить с использованием одной блоковой операции в восемь единиц или с использованием двух стандартных операций в четыре единицы каждая. Для блоковой операции будут действовать задержки: 4-1-1-1-1-1-1-1, то есть на всю операцию потребуется 11 циклов.
Для двух стандартных операций будут действовать задержки: 4-1-1-1-4-1-1-1. Это значит, что для завершения двух операций понадобится 14 циклов. Как видите, это медленнее, чем при использовании блоковой операции.
Рекомендуем выбрать значение 8, чтобы улучшить производительность системы.
SDRAM Burst Length (Продолжительность операции SDRAM)
Обычные опции: 4, 8.
Блоковые операции (burst transactions) повышают производительность SDRAM, так как данные читаются и записываются блоками с использованием только одного адреса столбца.
В такой операции только при первой передаче данных для чтения или записи учитывается начальная задержка, необходимая для активации столбца. Последующие операции в последовательности выполняются без задержки. Это позволяет намного быстрее считывать и записывать блоки данных.
Например, блоковая операция из четырех записей может включать задержки: 4-1-1-1. На выполнение четырех записей операции понадобится семь циклов.
Если же четыре записи не объединены в блоковую операцию, задержки будут стандартными: 4-4-4-4. На выполнение четырех записей операции понадобится 16 циклов, то есть на 9 циклов больше (или в два раза медленнее).
Функция BIOS SDRAM Burst Length позволяет управлять продолжительностью операции записи.
Если вы выберите значение 4, блоковая операция записи будет ограничена четырьмя QW.
Если вы выберите значение 8, блоковая операция записи будет ограничена восемью QW.
Так как начальное ожидание CAS фиксировано для каждой операции, увеличение время записи позволяет записать или считать больше данных с меньшей задержкой. Поэтому запись длиной 8 выполняется быстрее, чем запись длиной 4.
Например, если контроллер памяти записывает в память блок данных продолжительностью в восемь единиц, эту задачу он может решить с использованием одной блоковой операции в восемь единиц или с использованием двух стандартных операций в четыре единицы каждая. Для блоковой операции будут действовать задержки: 4-1-1-1-1-1-1-1, то есть на всю операцию потребуется 11 циклов.
Для двух стандартных операций будут действовать задержки: 4-1-1-1-4-1-1-1. Это значит, что для завершения двух операций понадобится 14 циклов. Как видите, это медленнее, чем при использовании блоковой операции.
Рекомендуем выбрать значение 8, чтобы улучшить производительность системы.
SDRAM CAS Latency Time (Время ожидания SDRAM CAS)
Обычные опции: 2, 3 (память SDR) или 1.5, 2, 2.5, 3 (память DDR)
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS.
Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек. Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Эта задержка называется ожидание CAS.
Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это первая цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка CAS для него будет равна 2 циклам.
Эта функция BIOS управляет задержкой (в циклах) между сигналом CAS и моментом, когда данные станут доступны в ячейке памяти. Кроме того, данная опция определяет количество циклов, которое требуется для завершения первой части операции. Другими словами, чем меньше время ожидания CAS, тем быстрее выполняется чтение и запись в память.
Так как активация столбца происходит при каждом считывании данных из новой ячейки памяти, ожидание CAS серьезно влияет на производительность памяти, особенно при использовании модулей SDR SDRAM. При работе с модулями DDR SDRAM эффект не так значителен.
Помните, что некоторые модули памяти могут неправильно работать с низким временем ожидания и терять данные. Советуем уменьшить настройку данной функции до 2 или 2.5 циклов, чтобы улучшить производительность памяти. Если система начнет работать нестабильно, увеличьте значение опции.
Интересно: если вы увеличите время ожидания CAS, это позволит модулю памяти работать с более высокой скоростью. Поэтому вы можете увеличить время ожидания CAS, если вы достигли предела при разгонке модулей SDRAM.
Это следует делать, в первую очередь, с модулями памяти DDR SDRAM, так как ожидание CAS не очень сильно влияет на производительность такой памяти (по сравнению с модулями памяти SDR). Нельзя недооценивать повышенную способность к разгонке при использовании более продолжительного времени ожидания CAS. Если вы хотите разогнать модули памяти DDR SDRAM, подумайте о том, чтобы увеличить время ожидания CAS. Полученное преимущество окупает небольшую потерю производительности.
SDRAM Command Leadoff Time (Время действия команды SDRAM)
Обычные опции: 3, 4.
Чтобы выполнить требования системы, контроллер памяти отправляет сигналы в адресную и командную строку на один цикл раньше, чем нужно. Это дает контроллеру памяти дополнительное время для выполнения запросов материнской платы.
Вы можете подумать, что раннее обращение к адресной и командной строке улучшает производительность; это не так. Контроллер памяти отправляет сигналы раньше, чем необходимо, но они достигают модуля памяти в момент, когда ни один из банков памяти не является активным.
Когда сигналы обращаются к модулю памяти, конечный банк активируется, и контроллер памяти начинает чтение. Так как адресная и командная строка были вызваны заранее, активация конечного банка памяти управляется временем действия команды.
По определению, время действия команды – это период между добавлением адреса/команды и активацией банка памяти. Данная функция BIOS позволяет изменить время действия команды в соответствии с параметрами материнской платы и модуля памяти.
Чем меньше время действия команды, тем раньше может быть активирован банк памяти. Это обеспечивает более быстрый доступ к модулю памяти. Рекомендуем настроить функцию SDRAM Command Leadoff Time на 3 (3 цикла), чтобы добиться повышения производительности памяти.
Однако ваша материнская плата и память могут не поддерживать время действия команды, равное трем циклам. Если система начнет работать нестабильно, измените настройку опции на 4 (4 цикла).
